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强元芯电子告诉你 设计驱动继电器电路时应注意的事项有哪些作者:asemi-李敏秋 发布于:2015/3/12 8:00:00 点击量:导读:很多设计师们在开始选择继电器驱动的时候,都会习惯性选择现有的集成芯片。那么设计的时候应该注意哪些事项呢?强元芯电子作为12年专注与电源领域的半导体标杆企业,一直坚持“信誉第一,客户至上”的经营理念。强元芯ASEMI的每一颗芯片都是用心生产出来的,强元芯,值得你信赖!
下面强元芯电子就来告诉你设计时应该注意哪些事项: 第一个因素是继电器的热开启问题 我们知道继电器要成功开启,特别是高温下是需要一定的电流的。由于高温的影响,电阻增大,使得需要的启动电压也上升了。达林顿管的饱和电压要比普通的三极管高一些.
三极管为什么会坏? (1)三极管的软击穿 对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿,只要外电路限制击穿后的电流,管子就不会损坏。 待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后,管子也就恢复到正常工作,因此这种击穿是可逆的,不是破坏性的。 (2)三极管的二次击穿 如果上述击穿后,电流不加限制,就会出现集电极电压迅速减小,集电极电流迅速增大的现象,通常将这种现象称为二次击穿。 发生二次击穿的过程是:结面某些薄弱点上电流密度增大,引起这些局部点的温度升高,从而使局部点上电流密度更大,温度更高。 如此反复作用,最后导致过热点的晶体熔化,相应在集射极间形成低阻通道,导致vCE下降,iC剧增,结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。 可见,二次击穿是在高压低电流时发生的,相应的功率称为二次击穿耐量。
反接保护的问题 二极管的问题是压降,如果使用PMOS或者NMOS 呢,COIL的反电压容易对PMOS产生影响,因此请大家慎重选择反接保护电路。
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